在半导体产业 “MEMS 器件微型化、功率半导体高密度封装、化合物半导体研发提速” 的发展阶段，光刻设备正面临 “双面对准精度不足、硬脆材料加工损伤高、多场景适配性差” 三重核心难题 —— 传统单面光刻机处理 4 英寸压力传感器晶圆时，正反面对准误差常超 3μm，导致空腔与压阻元件错位；加工 Ⅲ-Ⅴ 族易碎化合物半导体时，接触式曝光易造成基片开裂；切换标准光刻与键合对准工艺需 1.5 小时以上调试，难以匹配研发与小批量生产需求。SUSS MA6 双面半自动光刻机作为面向中小尺寸晶圆的专用设备，以 “双光路对准系统 + 多模式曝光技术 + 柔性承载平台” 为核心技术底座，实现 4 英寸晶圆双面对准精度≤±0.5μm、Ⅲ-Ⅴ 族材料曝光破损率＜1%、真空接触模式下分辨率达 0.5μm，成为 MEMS 制造、功率半导体封装及化合物半导体研发的核心光刻装备，为 “双面对准加工、多材料适配、研发量产衔接” 提供精准解决方案。

作为 SUSS 在中小尺寸光刻领域的经典机型，MA6 系列占据全球 4-6 英寸 MEMS 光刻设备市场约 38% 份额，推动 SUSS 在半导体封装光刻领域的市占率从 35% 提升至 42%，更成为高校实验室与中小半导体企业的 “标配” 设备，实现技术实用性与市场渗透率的双重突破。

一、技术架构：双面对准光刻的 “三维精准体系”

SUSS MA6 以破解 “双面对准精度低、硬脆材料易损伤、工艺切换效率差” 三大难题为核心使命，构建 “对准 - 曝光 - 承载” 三维技术架构，实现中小尺寸晶圆光刻能力的专业化升级：

（一）双光路对准系统：精准对位的 “核心引擎”

采用上下双显微镜组 + 光学成像同步技术，奠定双面对准基础：设备在掩膜架上下分别配置高倍显微镜组，上方镜头捕捉掩膜版对准标记并存储图像，下方镜头通过透明基片识别晶圆背面标记，两组图像实时同步显示于监视屏幕。操作人员通过平移与旋转调节晶圆位置，使标记精准重叠，4 英寸晶圆正 / 背面对准精度均可达 ±0.5μm，较传统单光路系统误差缩小 60%。针对非透明基片，系统可升级键合对准模块，通过机械基准校准实现对准精度≤±1μm，满足 SiP 封装中的晶圆键合需求。

对准效率优化：搭载标记识别加速算法，从掩膜标记存储到晶圆对位完成仅需 90 秒 / 片，较同类设备节省 40% 对准时间。支持十字线、圆形等多种标记类型识别，适配 MEMS、功率半导体等不同器件的光刻需求。

（二）多模式曝光系统：多材料适配的 “灵活中枢”

采用衍射减小光学系统 + 四模式曝光控制，突破材料适配瓶颈：设备集成 UV 400nm 波长光源与准直照明系统，光强均匀度≤±5%（100mm 晶圆），配合接近、软接触、硬接触、真空四种曝光模式切换。针对 4 英寸 SiC 功率器件晶圆，采用真空接触模式曝光，通过抽真空使掩膜与胶面紧密贴合，分辨率可达 0.5μm，满足栅极图形精细加工需求；处理 Ⅲ-Ⅴ 族易碎化合物半导体时，切换至软接触模式，以柔性接触减少基片应力，破损率从传统设备的 8% 降至 1% 以下。

曝光参数可控性：曝光时间可在 0-999.9 秒范围内精准调节，针对厚胶光刻场景，支持分步曝光模式，通过多次短时间曝光避免胶层过热变形。系统内置 20 + 标准化工艺配方，覆盖 Si、SiC、GaN 及透明基片等主流材料。

（三）柔性承载与运维系统：中小场景适配的 “实用底座”

采用可调式晶圆平台 + 简化运维设计，适配研发与小批量需求：承载平台兼容 4-6 英寸晶圆及不规则碎片，配备真空吸附与机械限位双重固定结构，针对 150μm 超薄晶圆，通过分区吸附压力调节（边缘 0.06MPa、中心 0.03MPa）防止翘曲。平台高度可电动微调，掩膜与晶片间隙控制精度达 1μm，确保不同厚度基片的曝光质量。

运维成本优化：核心光学部件采用密封式设计，减少灰尘污染，单次维护可连续运行 500 小时以上；操作界面采用直观化设计，新操作员培训后即可独立上岗，日常维护仅需更换滤光片与清洁镜头，年维护成本较同级别设备降低 30%。设备尺寸控制在 1200×1000×1800mm，占地面积较大型光刻设备减少 50%，适配实验室与中小车间空间需求。